LOCTITE ABLESTIK QMI2569 胶粘剂

LOCTITE ABLESTIK QMI2569 是一种银玻璃芯片粘接胶,用于在焊料密封和玻璃密封气密封装中粘接集成电路。

产品简介 :

LOCTITE ABLESTIK QMI2569 是一种银玻璃芯片粘接胶,用于在焊料密封和玻璃密封气密封装中粘接集成电路。该材料允许芯片粘接与引线框架嵌入同时进行,同时形成无空隙的粘接线,以实现最大程度的热耗散。通过使用硼酸铅玻璃,可获得优异的 RGA 湿度结果。
LOCTITE ABLESTIK QMI2569 还通过允许在尺寸高达 0.800"x 0.800" 的芯片上于烧制过程中进行在线干燥,从而提供了改进的可加工性。可使用多针或海星式点胶方式涂覆该材料。
LOCTITE ABLESTIK QMI2569 仅可用于气密封装应用。

产品特点 :

-无空隙粘结层
-最大散热能力

应用领域 :

半导体,导电胶粘剂

产品参数

产品类型
银玻璃
外观
银灰色
固化类型
烧制
产品应用
气密封装

未固化材料的典型性能 :

触变指数(1/20 rpm)
8.0
粘度 (Brookfield CP51,25°C,mPa·s,转速 5 rpm
35800
银含量,按烧成膜重量计,%
70
金属与玻璃比例,按烧成膜重量计
4:1
保质期 @ 25 °C(自生产日期起),天
365

推荐烧结曲线 :

Ag-glass 的烧成工艺包括去除载体,并将银-玻璃复合材料烧结成致密烧成膜。这些步骤可在具有氧化气氛(清洁干燥空气)的多区带式炉中方便地完成。通过对每个温区和带速进行适当的温度程序设定,可获得在有机物烧除过程中去除溶剂以及固体烧结过程中致密化所需的最佳升温速率。
以下数据给出了40至280°C温度范围以及5x5至20x20 mm芯片尺寸范围内的目标升温速率。对于矩形芯片,通常使用最大尺寸来确定范围,并且建议的升温速率随芯片尺寸增大而降低。随着器件在传送带上依次进入炉内更高温度的温区,升温速率会显著加快。小芯片可以使用大芯片的曲线运行。例如,一些客户使用15 mm芯片的曲线来烧制5 mm芯片。对于280°C以上的温度,升温速率并不关键。

最大升温速率(摄氏度/分钟)

5 x 5 mm 芯片尺寸:

@ 40 至 120 °C
30
@ 120 至 200 °
40
@ 120 至 200 °C
65

7 x 7 mm 芯片尺寸:

@ 40 至 120 °C
20
@ 120 至 200 °
36
@ 120 至 200 °C
60

10 x 10 mm 芯片尺寸:

@ 40 至 120 °C
16
@ 120 至 200 °
33
@ 120 至 200 °C
55

12 x 12 mm 芯片尺寸:

@ 40 至 120 °C
12
@ 120 至 200 °
26
@ 120 至 200 °C
40

15 x 15 mm 芯片尺寸:

@ 40 至 120 °C
9
@ 120 至 200 °
20
@ 120 至 200 °C
28

17 x 17 mm 芯片尺寸:

@ 40 至 120 °C
7
@ 120 至 200 °
16
@ 120 至 200 °C
24

20 x 20 mm 芯片尺寸:

@ 40 至 120 °C
4
@ 120 至 200 °
10
@ 120 至 200 °C
18

最短停留时间 :

7 x 7 mm 芯片尺寸
7 分钟 @ >380°C
> 7 x 7 至15 x 15 mm 芯片尺寸
8 分钟 @ >390°C
> 15 x 15 mm 芯片尺寸
9 分钟 @ >390°C

炉温曲线的最高温度是一个被指定为“停留温度”的等温区。该温度根据所使用的芯片尺寸和封装类型在380至440°C之间变化。“停留”区的长度随芯片尺寸和“停留温度”而变化。
在芯片贴装之后,器件可直接放入网带炉中进行烧结。该工艺顺序适用于大批量、连续组装作业。其结果是形成一种具有成本效益且高度可靠的烧成膜。
多用途的QMI浆料还允许零件在环境条件下放置长达八小时,或在45至60°C下干燥。干燥时间取决于芯片尺寸。预干燥的缺点在于生产成本增加以及工艺可重复性可能降低。无论是放置还是干燥会导致在烧结前去除不同量的溶剂。因此,可以增加升温速率。
QMI 浆料形成的烧成膜可为陶瓷和镀金陶瓷封装提供高粘接强度。为实现最佳粘接效果,首选无背衬芯片。QMI 测试表明,在此温度下,许多金背衬芯片可达到与无背衬芯片同样高的粘接强度,但金背衬工艺各不相同,在某些情况下会获得较差的粘接效果。

固化后材料的典型性能 :

物理性能 :

热膨胀系数,TMA,ppm/°C:alpha 1
16
玻璃化转变温度 (Tg),TMA 法,°C
250
导热系数,W/(m-K)
>60
DMA模量:@ 25°C ,N/mm²
15,100
可萃取离子含量,钠 (Na+)
≤20
可萃取离子含量,钾 (K+)
≤20
可萃取离子含量,氯离子 (Cl-)
≤10
可萃取离子含量,氟离子(F-)
≤10
包装腔体顶空水分浓度,残留玻璃分析(RGA),ppm H2O
<2,000

电气性能 :

体积电阻率,欧姆-厘米
15

其他拉伸粘附力 :

500 mil × 500 mil 芯片在 25°C 下:Si 芯片到镀金陶瓷,磅力
>100

使用说明:

QMI浆料的流变特性使其在单针、多针或星形头设计下具有优异的可分散性。
低剪切时高粘度可防止滴漏、模具移动或放置后下沉。
抗剪切指数大于7,可避免过度扩散导致的裂纹或触及包装侧壁。
高剪切时低粘度可防止堵塞或堵塞。
尽管点胶图案取决于芯片的长宽比,但应遵循一些通用规则。材料应点涂在基板上,使点胶图案的中心区域比周边更厚。这一条件可使材料在芯片贴装过程中向外流动,而不会在芯片下方夹带空气(圆形空洞)。
在芯片贴装后,应沿芯片整个周边观察到一圈胶珠或“圆角”。角部覆盖非常重要,以确保在从烧结温度冷却下来时不会对器件施加虚假的弯曲应力。“圆角”应在封装腔体的几何约束范围内尽可能大,因为糊料的外表面充当载体系统的蒸发部位,而该载体系统必须在有机物烧尽过程中去除。
贴装后获得的湿膜粘结层厚度是决定芯片粘接整体完整性的重要因素。表1列出了尺寸在5x5至20x20 mm范围内的芯片的湿膜粘结层指南。对于每个范围,烧成后的粘结层厚度在第3列中给出。请注意,随着芯片尺寸变大,这些厚度也会增加。
遵循这些指南将最大限度减少从基板传递到芯片的应力。目标湿膜粘接层应保持在±0.025 mm以内。粘接层过薄会导致空洞和对芯片的粘附力下降。超出推荐指南的粘接层在有机物烧除过程中需要更慢的升温速率,以去除增加的有机物量。若未进行此调整,可能会导致粘附力不理想和/或产生空洞。
通过使用含有间隔物的QMI浆料,可以提高重现性。这些间隔物可根据客户需求提供多种尺寸。间隔物可确保精确的粘接线控制和烧成后芯片的平整度。由于间隔物在烧成过程中会塌陷,因此绝不会改变烧成膜的性能。

最小推荐粘合层厚度 :

芯片尺寸(mm) 目标与润湿粘接线(微米) 大约烧成*粘接线(微米) 约重湿糊剂(mg)
5 x 5 88.9 71 30
7 x 7 102 81 50
10 x 10 114 91 85
12 x 12 127 102 130
15 x 15 152 122 200
17 x 17 178 135 300
20 x 20 203 163 425
备注:这是一个近似数值。根据起始固含量不同,预计因溶剂去除和 烧结会产生约25%的收缩。

储存条件:

ABLESTIK QMI2569 以密封容器形式供应,应存放在罐式滚轮上(1 至 4 rpm),温度保持在 15 至 28°C 之间。(收到后,必须立即将膏体置于罐式滚轮上并连续滚动至少 16 小时,方可打开罐子)。

其他说明:

从容器中取出的材料在使用过程中可能受到污染。请勿将产品放回原容器。

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